dual damascene

dual damascene

<di̯ùuël dä'mësiin> locuz. ingl., usata in it. come agg. e s. m. – Tecnica di realizzazione delle interconnessioni nei circuiti elettronici integrati, che consiste nella creazione di solchi in uno strato dielettrico planare e nel successivo riempimento con metallo. Con tale tecnica non è necessario rimuovere il metallo con attacco chimico (perché i passi tecnologici avvengono, appunto, in un ordine inverso, in cui si riempie un solco già creato), un aspetto importante dal momento che i processi industriali tendono a sostituire l’alluminio con il rame, meno resistivo rispetto all’alluminio ma difficile da eliminare. Un ulteriore vantaggio è costituito dal fatto che il riempimento dei vuoti è effettuato con lo stesso materiale della metallizzazione ed è realizzato contemporaneamente a essa, riducendo in tal modo il rischio di elettromigrazione. La tecnica consente poi di raggiungere alte densità di interconnessione.