MOS 1
MOS1 〈mòs〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Metal Oxide Semiconductor "metallo-ossido-semiconduttore" con cui s'indica la tecnica di realizzazione di dispositivi a semiconduttore basata su piastrine formate da uno strato di silicio, un sottilissimo strato di biossido di silicio SiO₂ e uno strato metallico, sovrapposti: per tale tecnica v. circuiti elettronici integrati: I 612 f, mentre per gli stati elettronici in tale struttura v. liquido quantistico di particelle cariche: III 439 d. ◆ [ELT] Famiglia logica MOS: v. circuiti elettronici integrati: I 615 b. ◆ [ELT] Strutture MOS: v. semiconduttori, dispositivi a: V 162 f.