pinch
pinch 〈pincŠ〉 [s.ingl., usato in it. come s.m. Der. di to pinch "stringere"] [FPL] Lo stesso che strizione magnetica, cioè l'azione di confinamento e di riduzione della sezione di un plasma (o [...] θ-p. (strizione azimutale), lo z-p. (strizione longitudinale) e lo screw p. (strizione elicoidale): v. confinamento magnetico: I 710 f ÷ 711 f. ◆ [ELT] P.-off: lo stesso che saturazione nel regime di un transistore JFET; per la tensione di p.-off: v ...
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n
n 〈ènne〉 [Forma min. della 14a lettera dell'alfab. it. moderno] [ALG] [ANM] Lettera usata frequentemente, spec. nella matematica e nelle sue applicazioni, per indicare un numero intero non definito: [...] n) nei quali i portatori di carica sono elettroni, usato anche in sigle per indicare dispositivi a semiconduttori di tipo n (transistore n-p-n, ecc.). ◆ [MTR] Simb. del pref. metrologico nano-. ◆ [ALG] Gruppo n: quello per il quale si può scrivere ...
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Microprocessori
Federico Faggin
Angelo Gallippi
L’idea della fattibilità del microprocessore – ossia dell’intera unità centrale di elaborazione (CPU, Central processing unit) di un computer su un singolo [...] superficie di 300 mm2 e consuma 60 watt.
A metà del 2002 la Intel commercializza l’Itanium 2 a 1 GHz, con 221 milioni di transistori (25 milioni dei quali per la logica e il resto per la memoria) in una superficie di 421 mm2 e tecnologia a 0,18 μm ...
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caratteristica
caratterìstica [Sostantivazione f. dell'agg. caratteristico] [LSF] Con vari signif.: (a) relazione fra due o più grandezze che caratterizza lo svolgimento di un fenomeno, il funzionamento [...] che sono diversi da zero. ◆ [ALG] C. di un logaritmo: la parte intera di esso. ◆ [ELT] C. di un transistore: v. transistori: VI 274 f. ◆ [EMG] [ELT] C. tensione-corrente di un bipolo: il diagramma ottenuto riportando in ascisse di un riferimento ...
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Il termine e. fu introdotto intorno al 1940 per indicare quella parte della scienza elettrica dedicata allo studio dei fenomeni associati al moto di fasci di elettroni nel vuoto e nei gas (American standard [...] e rese l’e. di interesse strategico nell’ambito del conflitto.
Il secondo campo di ricerca permise la realizzazione del transistore, da parte di W. Shockley, J. Bardeen e W.H. Brattain (1947). Tale componente pose le basi dell’elettronica dello ...
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(App. IV, i, p. 650; V, ii, p. 44; v. calcolatrici, macchine, VIII, p. 352; App. I, p. 339; II, i, p. 482; III, i, p. 281)
Gli e. e., nel corso degli ultimi anni, hanno subito innovazioni talmente radicali [...] permette l'aumento delle prestazioni. In questi anni, la capacità di integrazione è passata da meno di un milione di transistori per circuito integrato a più di sette milioni ed è già in fase di realizzazione l'integrazione di circa quindici milioni ...
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interdizione
interdizióne [Der. del lat. interdictio -onis, dal part. pass. interdictus di interdicere "interdire", comp. di inter- e dicere, e quindi "proibizione"] [LSF] Inibizione dello svolgersi [...] è sufficientemente negativa la griglia controllo: v. tubi termoelettronici a vuoto: VI 354 d. (b) Analogamente per un transistore e dispositivi derivati, il regime cui corrispondono i più bassi valori dell'intensità della corrente utile (normalmente ...
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bloccaggio
bloccàggio [Der. del fr. blocage "atto ed effetto del bloccare"] [ELT] Per dispositivi elettronici, equivale a interdizione. ◆ [ELT] [INF] Operazione di riunione in blocchi (→ blocco1) dei [...] avere il b. di un amplificatore elettrico se il segnale all'entrata è tanto ampio da portare in saturazione qualche tubo o transistore. ◆ [ELT] Oscillatore elettrico a b.: → oscillatore. ◆ [OTT] B. di un modo: locuz. che rende l'ingl. mode locking ...
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In elettronica, dispositivi che attuano operazioni di algebra logica binaria.
Operazioni logiche binarie
Per la schematizzazione di circuiti l. elettronici, detti circuiti di commutazione, e per la determinazione [...] di campo complementari T1 e T2 (fig. 4B). Se nel circuito di fig. 4A la tensione d’ingresso, e, è nulla (valore logico 0), il transistore è spento e si ha una tensione di uscita u pari a +V (valore logico 1). Se la tensione di ingresso, e, è pari a ...
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Nanotecnologie
Giorgio Benedek
Paolo Milani
Il termine nanotecnologia indica un approccio multidisciplinare alla realizzazione di materiali, dispositivi e sistemi nei quali almeno una delle tre dimensioni [...] con una densità di bit maggiore di 1 milione di volte rispetto alle attuali DRAM (Dynamic random access memory). Un transistore a effetto di campo è stato realizzato mediante un nanotubo a parete singola nel ruolo del canale di connessione. È stata ...
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transistore
transistóre s. m. [adattam. dell’angloamer. transistor: v. la voce prec.]. – Dispositivo elettronico a semiconduttori che permette il controllo di un segnale di uscita da parte di un segnale d’ingresso, e che svolge tutte le funzioni...
transistor
transìstor s. m. [voce angloamer., transistor 〈tränsìstë〉, comp. di trans(it) «transito», poi inteso come trans(fer) «trasferimento», con allusione al transito o al trasferimento di cariche elettriche attraverso le varie zone del...