silicio stirato

silicio stirato

silìcio stirato locuz. sost. m. – Nell’ambito dell’ottimizzazione della struttura dei transistor integrati, tecnica (strained silicon) in grado di migliorare notevolmente le prestazioni in relazione alla maggiore mobilità dei portatori, specialmente gli elettroni, ottenibile grazie al passo reticolare modificato dello strato di silicio utilizzato per il canale. Su un substrato di silicio si fa crescere uno strato di silicio-germanio (Si-Ge) di circa 2 μm a concentrazione di germanio progressivamente crescente. Si deposita poi un sottilissimo strato di silicio dello spessore di circa 20 nm; gli atomi di silicio di questo sottile strato tendono ad allinearsi con quelli dello strato sottostante di Si-Ge, molto più spesso e quindi molto più rigido e con un passo reticolare maggiore. La variazione del passo reticolare che si ottiene è di circa l’1%. Il notevole aumento della mobilità dei portatori deriva dal fatto che questi, a parità di ogni altra condizione, fluiscono più velocemente incontrando una minore resistenza.