MESFET

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Sigla di metal semiconductor field effect transistor, particolare tipo di transistore che usa un film sottile di arseniuro di gallio e nel quale l’elettrodo di gate è realizzato mediante una giunzione Schottky (➔ diodo), depositando uno strato di metallo direttamente sulla superficie del film. È usato principalmente nel campo delle microonde e nei circuiti integrati monolitici, nei quali un intero dispositivo (per es., un amplificatore) è costruito su un’unica piastrina di semiconduttore, collegando alcuni M. con linee a microstriscia.

Vedi anche
transistore Dispositivo elettronico a semiconduttori che permette il controllo di un segnale elettrico di uscita da parte di un segnale di ingresso; in quasi tutte le applicazioni ha vantaggiosamente sostituito i tubi termoelettronici. I transistore sono costituiti da un’opportuna disposizione di regioni semiconduttrici ... diodo Elemento circuitale bipolare, non lineare, a semiconduttore, che presenta una caratteristica tensione-corrente asimmetrica e una conducibilità fortemente unidirezionale. I diodo trovano applicazione in vari circuiti che realizzano particolari caratteristiche non lineari, come i circuiti logici o i dispositivi ... semiconduttore In fisica, materiale che a temperatura ambiente (20 °C) presenta valori di conduttività elettrica compresi tra 104 e 10–6 S/m, intermedi quindi tra quelli propri dei conduttori metallici (dell’ordine di 107 S/m o più) e quelli propri degli isolanti (dell’ordine di 10–11 S/m o meno). Si tratta di una ... microonda Onda elettromagnetica con frequenza f maggiore di 1 GHz, cioè con lunghezza d’onda λ minore di 0,3 m; il limite superiore della banda di frequenze delle microonda arriva fino al limite inferiore dell’infrarosso (f=300 GHz, λ=0,001 m). Rientrano nelle microonda le onde dette decimetriche (f=1-3 GHz, λ=0,3-0,1 ...
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Altri risultati per MESFET
  • MESFET
    Dizionario delle Scienze Fisiche (1996)
    MESFET 〈mèsfet〉 [ELT] Sigla dell'ingl. MEtal Semiconductor Field Effect Transistor "transistore metallo-semiconduttore a effetto di campo" con cui s'indica una classe di dispositivi elettronici: v. transistori: VI 284 a.