transistore
transistóre [Der. dell'ingl. transistor, comp. di tran(sit) o tran(sfer), con allusione al transito o al trasferimento di portatori di carica, attraverso giunzioni, dall'una all'altra delle zone semiconduttrici del dispositivo, e di (re)sistor "resistore"; la forma ingl. resistor (però con pron. it.) è parimenti usata, ma più nell'ambito tecnico che in quello scientifico] [ELT] Dispositivi elettronici a semiconduttori che consentono l'amplificazione di segnali elettrici e che in moltissime applicazioni hanno vantaggiosamente sostituito i tubi termoelettronici, determinando, fra l'altro, un'enorme diffusione degli apparecchi elettronici di ogni tipo e per ogni applicazione; generic., sono costituiti da un'opportuna disposizione di regioni semiconduttrici diversamente drogate a contatto fra loro e basano il loro funzionamento sulla diffusione preferenziale delle cariche di conduzione attraverso le barriere di potenziale presenti in corrispon-denza delle giunzioni tra le regioni medesime: v. transistori. ◆ [ELT] T. ad alta mobilità elettronica (ingl. High Electronic Mobility Transistor, sigla HEMT): v. strutture quantiche: sviluppi recenti: VI 650 d. ◆ [ELT] T. a effetto di campo (ingl. Field Effect Transistor, sigla FET): (a) denomin. collettiva dei vari tipi di t. a effetto di campo ricordati nel seguito; (b) denomin. collettiva di uno dei due gruppi in cui possono essere divisi i detti t., precis. tutti a esclusione dei t. a effetto di campo a barriera: v. transistori: VI 272 c. ◆ [ELT] T. a effetto di campo a barriera Schottky: lo stesso che t. a effetto di campo metallo-semiconduttore. ◆ [ELT] T. a effetto di campo a giunzione (ingl. Junction Field Effect Transistor, sigla JFET): v. transistori: VI 277 c. ◆ [ELT] T. a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (ingl. Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, sigla MOSFET): v. transistori: VI 279 a. ◆ [ELT] T. a effetto di campo metallo-semiconduttore (ingl. MEtal-Semiconductor Field Effect Transistor, sigla MESFET): v. transistori: VI 284 a. ◆ [ELT] T. bipolare (propr. a giunzione) (ingl. Bipolar Junction Transistor, sigla BJT): v. transistori: VI 272 c. ◆ [ELT] T. di potenza: v. elettronica di potenza: II 356 e. ◆ [ELT] T. unigiunzione (ingl. UniJunction Transistor, sigla UJT): v. transistori: VI 286 d.