In fisica e nella tecnica elettronica, i. ionica è il processo tecnologico per il drogaggio delle lamine di semiconduttore (tipicamente, di silicio) nella realizzazione di transistori speciali e di circuiti integrati monolitici. Diffuso anche a livello industriale per la produzione di componenti elettronici attivi con caratteristiche particolarmente spinte, il processo consiste essenzialmente nell’inviare ad alta velocità ioni dell’elemento drogante (di solito, fosforo per ottenere regioni di tipo n e boro per quelle di tipo p) su una lamina di materiale semiconduttore intrinseco (per es., silicio); regolando opportunamente la densità e la velocità di impatto degli ioni, si possono controllare in modo estremamente rigoroso sia il dosaggio delle impurità sia la loro profondità di penetrazione, anche a livelli talmente ridotti da non poter essere ottenuti in maniera soddisfacente utilizzando i più comuni metodi di drogaggio planare per diffusione.